本ページでは、当社が提供する研究・量産向けCVD合成システムおよび関連装置をご紹介します。先端ナノ材料の高品質・高再現性な合成を実現し、エネルギー貯蔵、エレクトロニクス、複合材料分野の研究開発・製造を支えます。
高品質電気炉
本製品は、当社が独自に開発した高品質な電気炉であり、安全性と信頼性に優れ、操作が簡単で、高精度な高温制御、優れた保温性能、広い温度範囲、ならびに炉内全体における高い温度均一性を特長としています。省エネルギー性に優れたセラミックファイバー材料と二重構造により、外表面温度を室温近くまで低減します。
加熱制御は、単一設定温度による制御、または4×8セグメントのプログラム温度曲線による制御が可能です。
加熱システム
- 最高温度： 1100°C
- 制御精度： ±1°C
真空焼鈍システム
本研究・量産対応の真空焼鈍システムは、高真空環境下での精密な温度制御と安定したプロセス再現性を特長とし、材料特性の最適化や欠陥低減を実現します。
高効率な加熱構造と優れた温度均一性により、金属・半導体・ナノ材料など幅広い材料の焼鈍処理に対応可能です。
また、手動および自動運転の切り替えに対応した制御システムを備え、研究開発からプロセス検討、スケールアップまで柔軟にご利用いただけます。
加熱システム
- 最高温度： 1100°C
- 制御精度： ±1°C
ガス供給
- 最大 5系統のガス供給に対応
- 流量範囲： 0～500 SCCM
- 制御精度：±2%FS
真空システム
- 極限真空：<1 Pa
- リーク率：<0.5 Pa/min
常圧手動 CVD装置
本装置は、大気圧下で動作する手動制御システムであり、化学反応速度が速く、成膜速度は100 nm/分を超えるため、誘電体薄膜の成膜に非常に適しています。
成膜は400～800℃の温度範囲で行われます。成膜速度は主に物質移動機構によって制御されており、単位時間あたりに各ウェハ表面、ならびに同一表面上の同一位置に到達する反応物量を精密に制御することが可能です。これにより、優れた膜厚均一性が得られます。
注：APCVDは粒子汚染を引き起こす気相反応の影響を受けやすい。さらに、シランを反応剤として二酸化ケイ素膜を堆積する場合、ステップカバレッジと膜均一性の両方が比較的劣る。このため、通常はより厚い誘電体膜の堆積に用いられ、集積回路製造ではほとんど採用されない。
加熱システム
- 最高温度： 1100°C
- 制御精度： ±1°C
ガス供給
- 最大3系統のガス供給に対応
- 流量範囲：0～500 SCCM
- 制御精度：±2%FS
制御システム
- 手動モード
- 計器とタッチパネルの同期制御
特徴
- 低消費電力・高反応効率
- 反応条件の柔軟な設定が可能
- 温度およびガス流量の高い均一性
低圧半自動 CVD装置
本装置は、当社が独自に開発した研究用途向けの全自動CVD装置で、手動制御および自動制御の両方に対応しています。複数の実験パラメータがあらかじめプログラムされており、設定済みレシピに基づくワンクリック実行が可能なため、研究効率を大幅に向上させます。
また、制御システムは自動モードと手動モードのシームレスな切り替えに対応しており、実験条件の柔軟なカスタマイズを可能にします。
加熱システム
- 最高温度： 1100°C
- 制御精度： ±1°C
ガス供給
- 最大5系統のガス供給に対応
- 流量範囲：0～500 SCCM
- 制御精度：±2%FS
真空システム
- 極限真空：<1 Pa
- リーク率：<0.5 Pa/min
圧力自動制御システム
- 圧力制御精度： 0～10 kPa 5%
- 圧力制御精度： 10～101 kPa 10%
制御システム
- 手動/自動モード切替可能
- 計器・タッチパネル同期制御
- 一般的な一次元・二次元材料およびヘテロ構造のプロセスレシピを内蔵
量産型全自動低圧 CVD装置
原子スケールおよび準原子スケールの製造に対応した本特許取得システムは、複数チャンバーによる並列生産とパイロットスケールに近い生産を可能にし、マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、ならびに関連分野の用途を支えます。
加熱システム
- 最高温度： 1100°C
- 制御精度： ±1°C
ガス供給
- 流量範囲：0～2000 SCCM
- 制御精度：±2%FS
真空システム
- 極限真空：<1 Pa
- リーク率：<0.5 Pa/min
制御システム
- 全自動
- ワンタッチで生産実行可能
圧力自動制御システム
- 圧力制御精度： 0～10 kPa 5%
- 圧力制御精度： 10～101 kPa 10%
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合成できる材料
基本シリーズ製品は汎用性が高く、気体・液体・固体原料に対応し、プラズマ増強モジュールを追加可能です。 CNT、グラフェン、h-BN、TMDC等、ナノ〜原子スケール材料の作製に適用できます。
